碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体，在功率器件领域具备着更高的击穿电压、更大的电流承受能力和更宽的温度适应范围，且内阻温度漂移极小、热稳定性及可靠性远优于传统硅器件。这些特性让 SiC 在高压、高功率与高频率场景下天然占优，目前已在高压 ...