SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍 ...

日本功率半导体制造商ROHM Semiconductor 宣布，其EcoSiC系列推出最新器件——第5代碳化硅（SiC）MOSFET，面向高效率功率应用进行了优化。该技术适用于汽车电驱系统（如电动汽车（xEV）牵引逆变器），同时也可应用于AI服务器电源以及数据中心等工业设备。 近年来，随着生成式AI和大数据处理的快速普及，工业设备领域对高性能服务器的部署不断加速。功率密度的显著提升对电力基础设施带 ...

芝能智芯出品碳化硅（SiC）MOSFET在车载电驱、充电、光伏、储能等系统中快速铺开，最直观的变化是：开关频率更高了，效率更好了，体积也可以做得更小。在工程落地中，热开始“卡系统”了。原来用硅器件的时候，散热设计更多是“算一算、堆一堆”，留一点余量基 ...

The NAICS Code represents the North American Industry Classification System. In other words, the NAICS Code places a business within its industry by assigning to it a six-digit code that indicates the ...

SiC与GaN正站在产业舞台的中央，深刻影响功率电子等多个市场的发展节奏… 随着电源管理成为车辆电动化、人工智能(AI)数据中心等新兴电子应用中的关键基础技术，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带化合物半导体正引发前所未有的产业动态与投资热潮。