SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍 ...
日本功率半导体制造商ROHM Semiconductor 宣布，其EcoSiC系列推出最新器件——第5代碳化硅（SiC）MOSFET，面向高效率功率应用进行了优化。该技术适用于汽车电驱系统（如电动汽车（xEV）牵引逆变器），同时也可应用于AI服务器电源以及数据中心等工业设备。 近年来，随着生成式AI和大数据处理的快速普及，工业设备领域对高性能服务器的部署不断加速。功率密度的显著提升对电力基础设施带 ...
The NAICS Code represents the North American Industry Classification System. In other words, the NAICS Code places a business within its industry by assigning to it a six-digit code that indicates the ...
台积电（TSMC）在先进封装领域再次迈出重要一步，规划于2027年实现9.5倍光罩尺寸的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术规模化量产。这一技术升级将显著提升AI芯片的算力与内存带宽，以应对当前AI大模型对高性能计算的苛刻需求。同时，SiC（碳化硅）材料作为关键热管理方案被重点提及，或将成为未来封装技术的重要突破口。 CoWoS迈入大尺寸、高HBM堆叠阶段台积电在 ...
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